La PCB de precisión de ocho capas de la placa portadora de módulo óptico 5G es el componente portador principal para realizar la conversión de señal optoelectrónica y la transmisión estable de alta velocidad de módulos ópticos 5G, especialmente personalizados y desarrollados para escenarios de comunicación de alta frecuencia y alta velocidad.
Diseño de estructura central
Al adoptar una arquitectura apilada simétrica, la solución típica es "capa de señal plano de tierra capa de señal capa de potencia capa central capa de potencia capa de señal plano de tierra".
El plano de tierra interior y la capa de energía forman una estructura de jaula de Faraday, que puede reducir la pérdida de señal en la banda de frecuencia de 10 GHz en un 40%.
La capa de energía independiente, combinada con una red de desacoplamiento, puede controlar el ruido de energía dentro de ± 5 mV y cumplir con los requisitos de suministro de energía de los chips de alta densidad.
Selección de materiales clave
Se prefieren sustratos de baja pérdida dieléctrica para escenarios de alta frecuencia, como Rogers RO4350B, con Df menor o igual a 0,002 a 10 GHz.
Combinado con una lámina de cobre de rugosidad ultrabaja HVLP (rugosidad de la superficie inferior o igual a 1 μm), la pérdida del efecto de la piel se puede reducir en un 30%.
La lámina semicurada de alta resistencia al calor con Tg mayor o igual a 170 grados garantiza la estabilidad entre capas en ambientes extremos que van desde -55 grados hasta 150 grados.
Requisitos básicos del proceso de precisión
La desviación de la alineación entre capas se controla estrictamente dentro de ± 25 μm y la conductividad del agujero ciego enterrado es mayor o igual al 99,99%.
La tolerancia de la impedancia de un solo extremo de 50 Ω y la impedancia diferencial de 100 Ω se controla entre ± 3% y ± 5%, que es mucho más estricta que el estándar de ± 10% de las placas de circuito impreso comunes.
El ancho/espaciado mínimo de línea puede alcanzar 2,5 mil, el diámetro mínimo de los orificios ciegos del láser es de 0,08 mm y el diámetro mínimo de los orificios enterrados es de 0,1 mm.
El proceso de calentamiento y prensado de tres etapas controla la tasa de burbujas de la capa intermedia por debajo del 0,01 % y logra una resistencia al pelado de 1,8 N/mm.
Ventajas principales de rendimiento
La pérdida de transmisión de señales de alta frecuencia por encima de 10 GHz es inferior o igual a 3 dB/cm, y la tasa de error de los módulos ópticos de 25 G puede ser tan baja como 10 ⁻¹ ² después de la instalación.
La matriz vía conductora térmica, combinada con el diseño de diferenciación de espesor de cobre, puede reducir la temperatura de la unión del chip en 18 grados, lo que lo hace adecuado para escenarios de operación continua de alta carga.
Excelente capacidad de blindaje electromagnético, la diafonía de la señal se puede controlar por debajo de -25 dB a una velocidad de 10 Gbps.
Escenarios de aplicaciones convencionales
Módulo óptico de avance/retroceso de estación base 5G, que admite interacción de baja latencia de datos masivos.
El módulo óptico de alta velocidad 400G/800G en el centro de datos permite una interconexión eficiente de clústeres de servidores.
Equipos terminales de comunicación óptica en entornos hostiles como Internet industrial y transporte inteligente.